中新網成都11月6日電 (記者 劉忠俊)記者11月6日從中國工程物理研究院電子工程研究所獲悉，該院聯合微系統太赫茲研究中心牽頭，攜手四川大學、西安交通大學，在多層陶瓷電容器(MLCC)的輻射效應研究領域取得重大突破。

　　據了解，該科研團隊首次發現并系統揭示了MLCC在持續輻照環境下的低劑量率損傷增強效應(ELDRS)及損傷機制，徹底顛覆了“陶瓷電容器無輻射敏感性”的傳統認知。目前，相關研究成果已發表于國際權威學術期刊《自然·通訊》(Nature Communications)。

　　作為電子系統中的核心基礎元件，MLCC長期被認為具備較強的輻射耐受性。但隨著器件向微型化方向發展、介質層厚度不斷減薄，其內部承受的電場強度持續增大，輻射引發的材料缺陷及性能演化問題也日益突出。

　　通過開展原位輻照實驗，科研團隊首次明確證實了MLCC在伽馬射線持續作用下的電容退化現象，并發現該器件存在顯著的ELDRS效應——即相較于高劑量率輻照，低劑量率輻照下器件的損傷程度更為嚴重。

　　此外，該研究還首次揭示了輻照停止后MLCC出現的“階躍恢復效應”，為深入理解航空航天、核工業等特殊輻射環境中電子器件的性能退化規律提供了全新視角，也為后續抗輻射MLCC的設計與制備奠定了理論基礎。(完)